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参数目录39796
> NTMD4184PFR2G MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
型号:
NTMD4184PFR2G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
NTMD4184PFR2G PDF
产品变化通告
Wire Change 12/May/2009
标准包装
2,500
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
95 毫欧 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
4.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
360pF @ 10V
功率 - 最大
770mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)
查看NTMD4184PFR2G代理商
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